国产91精品无码专区在线播放|久久只有这才是精品99|18禁无遮挡啪啪无码网站无码|亚洲综合深爱网丁香五月

  • <menu id="kyoiq"></menu>
    <nav id="kyoiq"><strong id="kyoiq"></strong></nav>
    <xmp id="kyoiq"><menu id="kyoiq"></menu>
  • <xmp id="kyoiq">
  • <menu id="kyoiq"><strong id="kyoiq"></strong></menu>
  • <input id="kyoiq"><menu id="kyoiq"></menu></input>
  • <xmp id="kyoiq">

    平面研磨機·平面拋光機·雙面研磨機·研磨拋光耗材及配件

    鏡面拋光案例

    藍寶石晶片襯底研磨拋光

    時間: 2018-08-06 分類: 鏡面拋光案例 瀏覽次數: 137
    分享到:
    藍寶石襯底研磨拋光的過程

    一、上蠟
     

      LED芯片研磨制程的首要動作即“上臘”,這與硅芯片的CMP化學研磨的貼膠意義相同。將芯片固定在鐵制(Lapping制程)或陶瓷(Grounding制程)圓盤上。先將固態蠟均勻的涂抹在加熱約90~110℃的圓盤上,再將芯片正面置放貼附于圓盤,經過加壓、冷卻后,芯片則確實固定于盤面,完成上臘的動作。
     

    二、研磨
     

      在上臘制程作業完成后,接下來的制程就是破壞力最高的“研磨制程”。

      過去最成熟的研磨制程就是Lapping,即是將芯片使用氧化鋁研磨粉作第一次研磨。其作業方式是使用千分表量測與設定鐵盤外圍的鉆石點,再將其放置于磨盤上,使用研磨粉作研磨。使用鉆石點的目的在于讓芯片研磨至設定厚度時,由于鉆石的硬度最高,所以芯片就不致于再被磨耗。

      但是,由于藍光LED基板為藍寶石,硬度高,所以使用Lapping的方式研磨時,會導致制程時間過長。因此,近幾年來以Grinding的方式進行藍光LED的芯片研磨,降低制程工時。


    藍寶石晶片襯底研磨拋光

    Grinding制程設備可分成臥式與立式兩種,臥式研磨機所指的是研磨馬達與水平面平行,可適用于八片式以下的研磨設計。但是若為12片式研磨時,因陶瓷盤過大,則無法使用此設計方式。立式研磨機所指的是研磨馬達與水平面垂直,而八片式以上的研磨機以此設計為主。

      在Grinding的制程方式中,使用鉆石砂輪搭配冷卻液(冷卻油+RO水或DI水)或鉆石切削液來研磨芯片。雖然冷卻方式會依原設計者的制程理念與經驗而有所不同,但是并不影響制程的結果。此制程作業之中,最主要的在于工作軸與砂輪軸的調整必須呈平行。再來,就是砂輪的磨石結構。

      由于Grinding研磨制程的速度效率高,若可以在研磨時將芯片厚度盡可能的減薄,則拋光的工時與成本就能降低。但是,研磨是高破壞性的制程作業,所以芯片減薄有一個極限值;另外,研磨制程中因鉆石所造成的刮痕約為15um,所以完工厚度值也影響著研磨減薄的厚度設定。

      然而,在使用過的Grinding研磨機里,不論是T牌、W牌、SF牌等,最大的極限值都在95~105um。因為藍寶石基板的硬度與翹曲,而使得完工后在100um以下的結果相當不穩定。

      所以,LED的研磨制程主要在設備設計與使用者經驗的搭配。但是芯片的本質,仍是影響結果的主因。

      
    三、拋光

     

      在芯片研磨之后,接下來的制程作業就是“拋光”。目的在處理Lapping研磨后產生的深孔,或Grinding研磨后的深刮痕。一般而言,Lapping研磨后的孔洞深度約為10um,Grinding研磨后的刮痕深度為15um~20um。

      以Lapping研磨后的拋光制程而言,拋光盤多數使用聚氨酯Pad,即一般所謂的軟拋。軟拋可以使制程作業后的表面光亮如鏡,但是其切削速率極低,約為0.2 um/min。另一個拋光方式是使用錫、鉛盤,因其盤面為金屬材質,所以一般稱為硬拋。硬拋的切削速率可以達到0.7~1 um/min,加工速度比軟拋快。然而,使用金屬盤做拋光的風險較高。雖然為錫、鉛為軟質金屬,但是盤面的狀況必須十分小心的作監控,尤其是盤面的修整。若在修整后,有金屬顆粒未除凈,拋光后易碎。

      因此,為了增加切削速率與盤面的穩定性,近年來有了新式的拋光盤,其盤面是樹酯,基座是銅。就是現在所謂的“樹酯銅盤”。因為盤面材質的硬度介于聚氨酯與錫之間,也被稱作是硬拋的一種方式。使用樹酯銅盤做拋光,再搭配特制鉆石拋光液與每秒的噴灑量,切削率可達2.3~2.8um/min。搭配 Grinding的研磨制程,就能增加大量的生產產出。當然,鉆石拋光液的消耗量也會隨之增加,但是在產能提升與損失風險較低的生產型態之下,每片芯片的生產成本未必會有增加。

      
    四、探討樹酯銅盤的高切削率搭配

     

      第一要素是銅盤溝槽與溝槽之間的間隙,溝槽與溝槽之間的間隙寬度最好為溝槽寬度的1.3~1.5倍。再來是拋光液的噴出量,必須依據無塵室環境與銅盤冷卻溫度而去作適當的設定、調整。

      鉆石拋光液大多使用多晶鉆石顆粒,不僅切削穩定,若與其他溶劑的配方比例佳,切削速率并不遜色。

      對比W牌與T牌的拋光機,以T牌的設計自動化最佳,但是W牌的設計補救能力最強。所以,在使用考慮上,選擇W牌,避免研磨或拋光發生厚度不均勻的異常時,還能對大量的異常施以補救。

      目前,使用W牌的一臺上蠟、兩臺研磨、一臺拋光的五片機系列,加上個人的特殊制程改善,最高紀錄可以在15小時產出300片。若以四班二輪作平均計算,一天一個班(12小時)可以產出250片左右。

      所以,在適當的設備搭配與使用經驗作改善之下,其實拋光是芯片減薄里,最穩定的制造生產。


    海德研磨服務
    全國服務熱線
    13480120112

    版權所有:深圳市海德精密機械有限公司 粵ICP備14067919號-5

    地址:深圳市龍崗區平湖街道華南城寶能智創谷B棟A單元601 電話:13480120112

  • <menu id="kyoiq"></menu>
    <nav id="kyoiq"><strong id="kyoiq"></strong></nav>
    <xmp id="kyoiq"><menu id="kyoiq"></menu>
  • <xmp id="kyoiq">
  • <menu id="kyoiq"><strong id="kyoiq"></strong></menu>
  • <input id="kyoiq"><menu id="kyoiq"></menu></input>
  • <xmp id="kyoiq">